LADP-3 മൈക്രോവേവ് ഇലക്ട്രോൺ സ്പിൻ റെസൊണൻസ് ഉപകരണം
പരീക്ഷണങ്ങൾ
1. ഇലക്ട്രോൺ സ്പിൻ റെസൊണൻസ് പ്രതിഭാസം പഠിക്കുകയും അംഗീകരിക്കുകയും ചെയ്യുക.
2. ലാൻഡെ അളക്കുകg-DPPH സാമ്പിളിന്റെ ഘടകം.
3. ഇപിആർ സിസ്റ്റത്തിൽ മൈക്രോവേവ് ഉപകരണങ്ങൾ എങ്ങനെ ഉപയോഗിക്കാമെന്ന് മനസിലാക്കുക.
4. പ്രതിധ്വനിക്കുന്ന അറയുടെ നീളം മാറ്റിക്കൊണ്ട് സ്റ്റാൻഡിംഗ് വേവ് മനസ്സിലാക്കുക, വേവ്ഗൈഡ് തരംഗദൈർഘ്യം നിർണ്ണയിക്കുക.
5. പ്രതിധ്വനിക്കുന്ന അറയിൽ സ്റ്റാൻഡിംഗ് വേവ് ഫീൽഡ് ഡിസ്ട്രിബ്യൂഷൻ അളക്കുക, വേവ്ഗൈഡ് തരംഗദൈർഘ്യം നിർണ്ണയിക്കുക.
സ്പെസിഫിക്കേഷനുകൾ
| മൈക്രോവേവ് സിസ്റ്റം | |
| ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് പിസ്റ്റൺ | ക്രമീകരണ പരിധി: 30 മിമി |
| സാമ്പിൾ | ട്യൂബിലെ DPPH പൊടി (അളവുകൾ: Φ2×6 mm) |
| മൈക്രോവേവ് ഫ്രീക്വൻസി മീറ്റർ | അളവ് പരിധി: 8.6 GHz ~ 9.6 GHz |
| വേവ്ഗൈഡ് അളവുകൾ | അകം: 22.86 mm × 10.16 mm (EIA: WR90 അല്ലെങ്കിൽ IEC: R100) |
| വൈദ്യുതകാന്തികം | |
| ഇൻപുട്ട് വോൾട്ടേജും കൃത്യതയും | പരമാവധി: ≥ 20 V, 1% ± 1 അക്കം |
| നിലവിലെ ശ്രേണിയും കൃത്യതയും ഇൻപുട്ട് ചെയ്യുക | 0 ~ 2.5 A, 1% ± 1 അക്കം |
| സ്ഥിരത | ≤ 1×10-3+5 എം.എ |
| കാന്തികക്ഷേത്രത്തിന്റെ ശക്തി | 0 ~ 450 mT |
| സ്വീപ്പ് ഫീൽഡ് | |
| ഔട്ട്പുട്ട് വോൾട്ടേജ് | ≥ 6 വി |
| ഔട്ട്പുട്ട് നിലവിലെ ശ്രേണി | 0.2 ~ 0.7 എ |
| ഘട്ടം ക്രമീകരിക്കൽ ശ്രേണി | ≥ 180° |
| ഔട്ട്പുട്ട് സ്കാൻ ചെയ്യുക | BNC കണക്റ്റർ, സോ-ടൂത്ത് വേവ് ഔട്ട്പുട്ട് 1~10 V |
| സോളിഡ് സ്റ്റേറ്റ് മൈക്രോവേവ് സിഗ്നൽ ഉറവിടം | |
| ആവൃത്തി | 8.6 ~ 9.6 GHz |
| ഫ്രീക്വൻസി ഡ്രിഫ്റ്റ് | ≤ ± 5×10-4/15 മിനിറ്റ് |
| പ്രവർത്തന വോൾട്ടേജ് | ~ 12 വി.ഡി.സി |
| ഔട്ട്പുട്ട് പവർ | > തുല്യ ആംപ്ലിറ്റ്യൂഡ് മോഡിൽ 20 മെഗാവാട്ട് |
| ഓപ്പറേഷൻ മോഡും പാരാമീറ്ററുകളും | തുല്യ വ്യാപ്തി |
| ആന്തരിക സ്ക്വയർ-വേവ് മോഡുലേഷൻ ആവർത്തന ആവൃത്തി: 1000 Hz കൃത്യത: ± 15% വക്രത: < ± 20％ | |
| വേവ്ഗൈഡ് അളവുകൾ | അകം: 22.86 mm × 10.16 mm (EIA: WR90 അല്ലെങ്കിൽ IEC: R100) |
ഭാഗങ്ങളുടെ പട്ടിക
| വിവരണം | ക്യൂട്ടി |
| പ്രധാന കൺട്രോളർ | 1 |
| വൈദ്യുതകാന്തികം | 1 |
| പിന്തുണ അടിസ്ഥാനം | 3 |
| മൈക്രോവേവ് സിസ്റ്റം | 1 സെറ്റ് (വിവിധ മൈക്രോവേവ് ഘടകങ്ങൾ, ഉറവിടം, ഡിറ്റക്ടർ മുതലായവ ഉൾപ്പെടെ) |
| DPPH സാമ്പിൾ | 1 |
| കേബിൾ | 7 |
| ഇൻസ്ട്രക്ഷണൽ മാനുവൽ | 1 |
നിങ്ങളുടെ സന്ദേശം ഇവിടെ എഴുതി ഞങ്ങൾക്ക് അയക്കുക
